1. 雙脈沖測(cè)試到底在測(cè)什么1.1 從一個(gè)燒管的經(jīng)歷說起剛?cè)胄心菚?huì)兒我負(fù)責(zé)一款電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率板調(diào)試。樣機(jī)焊好上電電機(jī)還沒轉(zhuǎn)起來一顆TO-247封裝的IGBT就炸了管殼崩飛PCB上留下一個(gè)焦黑的坑。當(dāng)時(shí)我第一反應(yīng)是“管子買假了”換了一顆繼續(xù)上電又炸。第三顆炸完我才意識(shí)到問題不在器件本身而在于我根本不知道它在開關(guān)瞬間經(jīng)歷了什么——開通時(shí)電流沖到了多少、關(guān)斷時(shí)電壓尖峰有多高、二極管反向恢復(fù)帶來的那一下電流尖峰有沒有超出安全工作區(qū)。這些信息用萬用表測(cè)不出來用普通示波器看個(gè)大概也看不準(zhǔn)。后來帶我的老工程師丟給我一塊測(cè)試板說“先做雙脈沖把波形打出來再說?！蹦鞘俏业谝淮谓佑|雙脈沖測(cè)試。它不是什么高深莫測(cè)的黑科技本質(zhì)上就是用一個(gè)電感當(dāng)負(fù)載給被測(cè)器件發(fā)兩個(gè)寬度可調(diào)的脈沖然后拿示波器把開通和關(guān)斷瞬間的電壓電流波形抓下來。就這么簡(jiǎn)單的一個(gè)實(shí)驗(yàn)卻能暴露出功率器件應(yīng)用中最要命的問題。雙脈沖測(cè)試Double Pulse Test簡(jiǎn)稱DPT是功率電子領(lǐng)域評(píng)估IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT等開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的標(biāo)準(zhǔn)手段。它測(cè)的是開關(guān)特性——開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、開通損耗、關(guān)斷損耗、電流變化率di/dt、電壓變化率dv/dt以及續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性。這些參數(shù)直接決定了你的變換器效率有多高、EMI有多吵、器件會(huì)不會(huì)過熱燒掉。適合誰來讀這篇內(nèi)容如果你是剛接觸功率電子的學(xué)生、轉(zhuǎn)行做硬件設(shè)計(jì)的工程師、或者正在調(diào)試逆變器/變頻器/OBC的從業(yè)者這篇內(nèi)容能幫你把雙脈沖測(cè)試從“聽說過”變成“能上手做”。我不打算堆公式嚇人而是把原理、電路、操作、波形解讀和踩坑經(jīng)驗(yàn)一條條講清楚。1.2 為什么偏偏是“雙脈沖”有人會(huì)問測(cè)開關(guān)特性為什么不用單脈沖為什么不用連續(xù)PWM單脈沖只能測(cè)開通或者關(guān)斷其中一個(gè)過程而且沒法在同一個(gè)測(cè)試周期里同時(shí)觀察開通和關(guān)斷。連續(xù)PWM雖然接近實(shí)際工況但熱積累快、波形重疊嚴(yán)重很難把某一次開關(guān)事件的細(xì)節(jié)看清楚。雙脈沖的精妙之處在于第一個(gè)脈沖讓電感電流爬升到目標(biāo)值第二個(gè)脈沖讓器件在目標(biāo)電流下完成一次開通和一次關(guān)斷。兩個(gè)脈沖之間的死區(qū)時(shí)間恰好讓續(xù)流二極管完成反向恢復(fù)過程。這樣你在一屏波形上就能同時(shí)看到第二個(gè)脈沖上升沿的開通過程含二極管反向恢復(fù)電流尖峰第二個(gè)脈沖下降沿的關(guān)斷過程含電壓尖峰和振蕩而且因?yàn)槊}沖數(shù)量少、總能量有限器件不會(huì)迅速升溫測(cè)試可以在接近室溫的條件下重復(fù)進(jìn)行數(shù)據(jù)一致性很好。這就是它成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的原因——用最小的代價(jià)獲取最關(guān)鍵的動(dòng)態(tài)參數(shù)。注意雙脈沖測(cè)試的核心價(jià)值不在于“測(cè)一個(gè)數(shù)”而在于“看一個(gè)過程”。波形上的振蕩、尖峰、臺(tái)階往往比最終算出來的損耗值更有診斷意義。2. 測(cè)試電路與核心器件解析2.1 一張圖看懂雙脈沖測(cè)試拓?fù)潆p脈沖測(cè)試的電路結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)潔典型的下管測(cè)試拓?fù)浒韵虏糠种绷髂妇€電源提供穩(wěn)定的母線電壓Vdc通常用可調(diào)直流電源加一個(gè)大容量電解電容并聯(lián)高頻薄膜電容。母線電容電解電容提供能量緩沖薄膜電容靠近被測(cè)器件提供低ESL的高頻回路。上管器件作為續(xù)流二極管使用通常將其門極負(fù)壓關(guān)斷只利用其體二極管或反并聯(lián)二極管。下管器件被測(cè)器件DUT門極接驅(qū)動(dòng)電路接受雙脈沖信號(hào)。負(fù)載電感L連接在開關(guān)節(jié)點(diǎn)和母線正極之間承擔(dān)儲(chǔ)能和續(xù)流任務(wù)。驅(qū)動(dòng)電路為下管提供開通/關(guān)斷的門極電壓要求足夠低的輸出阻抗和足夠的峰值電流。測(cè)量系統(tǒng)高壓差分探頭測(cè)Vce羅氏線圈或同軸分流器測(cè)Ic。電路的工作邏輯是這樣的第一個(gè)脈沖到來下管開通母線電壓加在電感兩端電感電流線性上升上升斜率由Vdc/L決定。第一個(gè)脈沖結(jié)束時(shí)下管關(guān)斷電感電流通過上管的二極管續(xù)流此時(shí)電感電流緩慢下降。經(jīng)過一個(gè)設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后第二個(gè)脈沖到來下管再次開通此時(shí)上管二極管從導(dǎo)通狀態(tài)被迫關(guān)斷產(chǎn)生反向恢復(fù)電流與下管開通電流疊加。第二個(gè)脈沖結(jié)束時(shí)下管再次關(guān)斷電感電流再次換流到上管二極管。2.2 上管為什么可以用二極管代替很多初學(xué)者會(huì)疑惑雙脈沖測(cè)試不是測(cè)開關(guān)管嗎為什么上管可以用一個(gè)二極管這是因?yàn)樵诖蠖鄶?shù)橋式拓?fù)渲猩瞎芎拖鹿苁腔パa(bǔ)工作的。當(dāng)下管開通時(shí)上管關(guān)斷負(fù)載電流由下管承擔(dān)當(dāng)下管關(guān)斷時(shí)負(fù)載電流需要一條續(xù)流通路此時(shí)上管的體二極管或反并聯(lián)二極管自然導(dǎo)通。雙脈沖測(cè)試正是模擬了“下管開關(guān)、上管續(xù)流”這一最典型的工況。用二極管代替上管的好處是簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)避免了上下管直通的風(fēng)險(xiǎn)。但要注意如果被測(cè)器件是SiC MOSFET或GaN器件上管最好使用同型號(hào)器件的體二極管因?yàn)椴煌骷姆聪蚧謴?fù)特性差異很大用錯(cuò)上管會(huì)導(dǎo)致測(cè)得的反向恢復(fù)電流不真實(shí)。2.3 負(fù)載電感怎么選負(fù)載電感是雙脈沖測(cè)試中最關(guān)鍵的被動(dòng)元件之一。它的取值決定了電流上升斜率和測(cè)試窗口。根據(jù)公式di/dt Vdc / L假設(shè)母線電壓Vdc400V目標(biāo)測(cè)試電流I100A第一個(gè)脈沖寬度t120μs則需要的電感量為L(zhǎng) Vdc × t1 / I 400V × 20μs / 100A 80μH實(shí)際選型時(shí)電感量要留有余量因?yàn)殡姼性诖箅娏飨聲?huì)飽和感值下降會(huì)導(dǎo)致di/dt變大電流上升更快。建議選擇飽和電流至少為測(cè)試電流1.5倍以上的電感。另外電感的寄生電容要小否則在開關(guān)瞬間會(huì)產(chǎn)生高頻振蕩干擾波形。我個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)是用空心電感或者帶氣隙的鐵粉芯電感避免使用高磁導(dǎo)率的鐵氧體磁芯因?yàn)楹笳呷菀罪柡颓覔p耗大。電感值也不是越大越好太大則電流上升慢測(cè)試時(shí)間拉長(zhǎng)器件發(fā)熱增加太小則di/dt過高容易觸發(fā)過流保護(hù)。2.4 驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵要求雙脈沖測(cè)試對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求比實(shí)際應(yīng)用更苛刻因?yàn)槟阋^察的是門極信號(hào)的完整性。幾個(gè)核心指標(biāo)驅(qū)動(dòng)電壓IGBT通常15V開通、-5V到-8V關(guān)斷SiC MOSFET常用18V/-3V或15V/-3V。具體參考器件數(shù)據(jù)手冊(cè)。峰值電流門極驅(qū)動(dòng)峰值電流要足夠大保證門極電壓快速建立。一般要求Ipeak ≥ Qg / tr其中Qg是門極總電荷tr是期望的上升時(shí)間。隔離驅(qū)動(dòng)電路必須與主功率回路隔離避免地環(huán)路干擾。門極電阻Rg_on和Rg_off可以分開設(shè)置用于獨(dú)立調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷速度。測(cè)試時(shí)通常先按數(shù)據(jù)手冊(cè)推薦值設(shè)置再根據(jù)波形調(diào)整。提示門極電阻的取值直接影響開關(guān)損耗和電壓尖峰。Rg增大開關(guān)變慢損耗增加但dv/dt和di/dt降低EMI改善Rg減小則相反。雙脈沖測(cè)試的一個(gè)重要目的就是找到這個(gè)平衡點(diǎn)。3. 實(shí)操過程與波形解讀3.1 測(cè)試前的準(zhǔn)備工作在動(dòng)手接線之前有幾件事必須確認(rèn)第一確認(rèn)器件和驅(qū)動(dòng)板的狀態(tài)。用萬用表測(cè)一下IGBT的CE之間是否短路門極是否正常。驅(qū)動(dòng)板單獨(dú)上電用示波器看門極輸出波形是否干凈、幅值是否正確。第二設(shè)置母線電壓和脈沖寬度。初始測(cè)試建議從低母線電壓開始比如50V脈沖寬度設(shè)短一些觀察波形是否正常。確認(rèn)無誤后再逐步升壓到目標(biāo)值。第三連接測(cè)量探頭。電壓探頭用高壓差分探頭帶寬至少100MHz測(cè)Vce時(shí)探頭地線要盡量短最好用探頭自帶的彈簧地針避免長(zhǎng)地線引入的振鈴。電流測(cè)量推薦用羅氏線圈Rogowski coil或同軸分流器前者非侵入式、帶寬高后者精度高但需要斷開電路。第四設(shè)置示波器。觸發(fā)方式設(shè)為邊沿觸發(fā)觸發(fā)源選門極信號(hào)或電流信號(hào)。時(shí)基根據(jù)脈沖寬度設(shè)置一般第一個(gè)脈沖和第二個(gè)脈沖之間的總時(shí)間窗口在50μs到200μs之間。采樣率要足夠高建議至少1GS/s否則快速開關(guān)沿的細(xì)節(jié)會(huì)丟失。3.2 雙脈沖信號(hào)的時(shí)序設(shè)計(jì)雙脈沖測(cè)試的時(shí)序設(shè)計(jì)是核心環(huán)節(jié)。假設(shè)我們要測(cè)試100A電流下的開關(guān)特性母線電壓400V電感80μH第一個(gè)脈沖寬度t1t1 L × I / Vdc 80μH × 100A / 400V 20μs死區(qū)時(shí)間t_dead通常設(shè)為2μs到5μs要足夠讓二極管完成反向恢復(fù)但也不能太長(zhǎng)導(dǎo)致電感電流下降過多。第二個(gè)脈沖寬度t2一般設(shè)為與t1相同或略短保證第二次開通時(shí)電流達(dá)到目標(biāo)值。實(shí)際調(diào)試時(shí)我會(huì)先用一個(gè)較短的t1比如10μs試一下看電流是否線性上升、有沒有振蕩。然后根據(jù)示波器測(cè)到的實(shí)際電流峰值反推需要的t1。因?yàn)殡姼兄涤泄钣?jì)算值只能作為起點(diǎn)。注意第二個(gè)脈沖結(jié)束時(shí)電感電流不能超過器件的額定電流否則可能損壞器件。建議在電源回路中串聯(lián)一個(gè)快速熔斷器或電子保護(hù)電路。3.3 開通過程波形詳解第二個(gè)脈沖的上升沿對(duì)應(yīng)開通過程。典型的Vce和Ic波形可以分為幾個(gè)階段階段一門極電壓上升Vce開始下降。門極電壓從負(fù)壓上升到閾值電壓Vge(th)之前器件仍處于關(guān)斷狀態(tài)Vce保持母線電壓。當(dāng)Vge超過閾值溝道開始形成Vce開始下降。階段二電流快速上升Vce繼續(xù)下降。這個(gè)階段Ic從零快速上升到負(fù)載電流值di/dt由門極電壓、跨導(dǎo)和回路電感決定。同時(shí)Vce從母線電壓下降到通態(tài)壓降。階段三二極管反向恢復(fù)。當(dāng)Ic達(dá)到負(fù)載電流后上管二極管仍在導(dǎo)通直到二極管電流過零并反向恢復(fù)。反向恢復(fù)電流Irrm會(huì)疊加在下管電流上形成一個(gè)電流尖峰。這個(gè)尖峰的大小取決于二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr和電流變化率di/dt。階段四恢復(fù)穩(wěn)定。反向恢復(fù)結(jié)束后Ic回落到負(fù)載電流值Vce達(dá)到通態(tài)壓降開通過程結(jié)束。開通過程中需要關(guān)注的關(guān)鍵參數(shù)參數(shù)含義典型關(guān)注點(diǎn)t_on開通時(shí)間從門極10%到Vce 10%E_on開通損耗Vce×Ic積分di/dt電流變化率影響反向恢復(fù)和EMIIrrm反向恢復(fù)峰值電流二極管特性關(guān)鍵指標(biāo)Vce_peak開通時(shí)Vce過沖一般較小但振蕩需關(guān)注3.4 關(guān)斷過程波形詳解第二個(gè)脈沖的下降沿對(duì)應(yīng)關(guān)斷過程。關(guān)斷過程同樣可以分為幾個(gè)階段階段一門極電壓下降Vce開始上升。門極電壓從正壓下降到米勒平臺(tái)電壓之前器件仍處于導(dǎo)通狀態(tài)Ic保持負(fù)載電流。當(dāng)Vge下降到米勒平臺(tái)Vce開始快速上升。階段二電流快速下降Vce繼續(xù)上升。這個(gè)階段Ic從負(fù)載電流快速下降到零di/dt由門極電阻和回路寄生電感決定。同時(shí)Vce從通態(tài)壓降上升到母線電壓并產(chǎn)生電壓尖峰。階段三電壓尖峰和振蕩。由于回路寄生電感Lstray的存在關(guān)斷時(shí)di/dt會(huì)在Lstray上產(chǎn)生感應(yīng)電壓V Lstray × di/dt疊加在母線電壓上形成Vce尖峰。尖峰過后寄生電感和器件電容形成LC振蕩表現(xiàn)為Vce波形上的振鈴。階段四恢復(fù)穩(wěn)定。振蕩衰減后Vce穩(wěn)定在母線電壓關(guān)斷過程結(jié)束。關(guān)斷過程中需要關(guān)注的關(guān)鍵參數(shù)參數(shù)含義典型關(guān)注點(diǎn)t_off關(guān)斷時(shí)間從門極90%到Ic 10%E_off關(guān)斷損耗Vce×Ic積分dv/dt電壓變化率影響EMI和門極串?dāng)_Vce_peak關(guān)斷電壓尖峰不能超過器件額定電壓Lstray回路寄生電感決定尖峰高度3.5 反向恢復(fù)波形的觀察反向恢復(fù)是雙脈沖測(cè)試中最容易被忽視但影響最大的環(huán)節(jié)。當(dāng)?shù)诙€(gè)脈沖到來下管開通上管二極管從導(dǎo)通狀態(tài)被迫關(guān)斷。二極管內(nèi)部存儲(chǔ)的少數(shù)載流子需要被抽走形成反向恢復(fù)電流。反向恢復(fù)波形的主要特征反向恢復(fù)峰值電流Irrm二極管電流從正向?qū)娏飨陆档搅愫罄^續(xù)向負(fù)方向增大達(dá)到峰值后恢復(fù)。反向恢復(fù)時(shí)間trr從電流過零到恢復(fù)到接近零的時(shí)間。反向恢復(fù)電荷Qrr反向恢復(fù)電流對(duì)時(shí)間的積分是二極管的重要參數(shù)。對(duì)于IGBT反向恢復(fù)電流會(huì)疊加在下管的開通電流上導(dǎo)致開通損耗增加。對(duì)于SiC MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電荷很小但并非為零在高頻應(yīng)用中仍需關(guān)注。提示測(cè)量反向恢復(fù)時(shí)電流探頭的帶寬和位置非常關(guān)鍵。羅氏線圈要套在二極管支路上而不是母線總線上否則會(huì)混入電容充放電電流。4. 常見問題與排查技巧實(shí)錄4.1 波形振蕩嚴(yán)重怎么辦波形振蕩是雙脈沖測(cè)試中最常見的問題。振蕩來源主要有三個(gè)第一測(cè)量回路寄生電感。電壓探頭的長(zhǎng)地線會(huì)引入寄生電感與探頭電容形成LC振蕩。解決辦法是使用探頭自帶的彈簧地針或者用同軸電纜直接焊接在測(cè)試點(diǎn)上。第二功率回路寄生電感。母線電容到器件之間的走線過長(zhǎng)或者電容的ESL過大都會(huì)導(dǎo)致關(guān)斷電壓尖峰和振蕩。解決辦法是縮短走線、使用低ESL的薄膜電容、增加吸收電路。第三門極回路振蕩。門極電阻過小或門極走線過長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致門極電壓振蕩進(jìn)而引起器件誤導(dǎo)通。解決辦法是增大門極電阻、縮短門極走線、在門極和發(fā)射極之間并聯(lián)小電容。我個(gè)人的排查順序是先看門極波形是否干凈再看Vce波形最后看Ic波形。門極波形干凈是前提如果門極都在振蕩后面的波形沒有參考價(jià)值。4.2 電流波形測(cè)不準(zhǔn)的幾種情況電流測(cè)量是雙脈沖測(cè)試的難點(diǎn)。常見問題包括羅氏線圈位置不對(duì)套在母線總線上會(huì)測(cè)到電容充放電電流應(yīng)該套在器件支路上。羅氏線圈積分器漂移長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試時(shí)積分器會(huì)漂移導(dǎo)致電流基線偏移。建議每次測(cè)試前復(fù)位積分器。同軸分流器帶寬不足普通分流器帶寬只有幾十MHz無法捕捉快速開關(guān)沿。建議使用同軸分流器帶寬可達(dá)1GHz以上。探頭延遲不一致電壓和電流探頭的傳輸延遲不同會(huì)導(dǎo)致?lián)p耗計(jì)算誤差。建議先用已知信號(hào)校準(zhǔn)兩個(gè)探頭的延遲差。4.3 器件發(fā)熱和損壞的預(yù)防雙脈沖測(cè)試雖然能量有限但操作不當(dāng)仍可能損壞器件。幾個(gè)關(guān)鍵預(yù)防措施限制重復(fù)頻率兩次測(cè)試之間留足夠冷卻時(shí)間避免結(jié)溫累積。監(jiān)測(cè)結(jié)溫可以用熱像儀或者器件內(nèi)置的溫度傳感器監(jiān)測(cè)。設(shè)置過流保護(hù)在母線回路中串聯(lián)快速熔斷器或者使用帶過流保護(hù)的電源。逐步升壓從低電壓開始確認(rèn)波形正常后再升到目標(biāo)電壓。避免直通確保上下管不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通死區(qū)時(shí)間要足夠。4.4 常見問題速查表現(xiàn)象可能原因排查方向Vce關(guān)斷尖峰過高回路寄生電感大縮短走線、加吸收電路Ic開通尖峰過大二極管反向恢復(fù)大更換二極管、調(diào)整Rg門極波形振蕩Rg過小、走線長(zhǎng)增大Rg、縮短走線電流基線漂移積分器漂移復(fù)位積分器、縮短測(cè)試時(shí)間損耗計(jì)算偏差大探頭延遲不匹配校準(zhǔn)探頭延遲器件異常發(fā)熱開關(guān)損耗大、頻率高降低頻率、優(yōu)化Rg波形重復(fù)性差觸發(fā)不穩(wěn)定檢查觸發(fā)源、調(diào)整觸發(fā)電平4.5 從波形反推器件特性的經(jīng)驗(yàn)做了上百次雙脈沖測(cè)試后我養(yǎng)成了一個(gè)習(xí)慣不看數(shù)據(jù)手冊(cè)先看波形。波形能告訴你很多數(shù)據(jù)手冊(cè)不會(huì)寫的東西。比如開通電流波形上如果有一個(gè)明顯的臺(tái)階說明門極驅(qū)動(dòng)能力不足門極電壓在米勒平臺(tái)停留時(shí)間過長(zhǎng)。關(guān)斷電壓波形上如果振蕩頻率很高幾十MHz說明回路寄生電感很小但器件輸出電容也小這種情況下要小心EMI。反向恢復(fù)電流如果拖尾很長(zhǎng)說明二極管的反向恢復(fù)特性偏軟適合低頻應(yīng)用但不適合高頻。還有一個(gè)細(xì)節(jié)觀察Vce的下降沿和Ic的上升沿是否同步。如果Ic先上升、Vce后下降說明器件在電流上升階段承受了高電壓開通損耗會(huì)偏大。理想情況下Vce應(yīng)該先快速下降然后Ic再上升這樣損耗最小。這個(gè)時(shí)序關(guān)系可以通過調(diào)整門極電阻來優(yōu)化。5. 測(cè)試數(shù)據(jù)的處理與損耗計(jì)算5.1 開關(guān)損耗的手動(dòng)計(jì)算方法示波器通常自帶功率計(jì)算功能但手動(dòng)計(jì)算能讓你更清楚損耗的構(gòu)成。開通損耗E_on的計(jì)算方法是E_on ∫ Vce(t) × Ic(t) dt 積分區(qū)間為開通過程實(shí)際操作中可以用示波器的數(shù)學(xué)功能將電壓和電流相乘得到瞬時(shí)功率波形然后對(duì)功率波形在開關(guān)區(qū)間內(nèi)積分。注意積分區(qū)間要包含反向恢復(fù)過程否則會(huì)低估開通損耗。關(guān)斷損耗E_off的計(jì)算方法類似E_off ∫ Vce(t) × Ic(t) dt 積分區(qū)間為關(guān)斷過程總開關(guān)損耗P_sw (E_on E_off) × f_sw其中f_sw是開關(guān)頻率。5.2 探頭延遲校準(zhǔn)的實(shí)操方法電壓和電流探頭的傳輸延遲不同如果不校準(zhǔn)損耗計(jì)算會(huì)有很大誤差。校準(zhǔn)方法如下用一個(gè)已知的快速邊沿信號(hào)比如函數(shù)發(fā)生器輸出的方波同時(shí)接入電壓和電流探頭。觀察兩個(gè)探頭在示波器上的波形測(cè)量時(shí)間差。在示波器中對(duì)其中一個(gè)探頭設(shè)置延遲補(bǔ)償使兩個(gè)波形對(duì)齊。記錄補(bǔ)償值后續(xù)測(cè)試中保持一致。這個(gè)步驟很多人會(huì)跳過但實(shí)測(cè)下來探頭延遲差1ns就可能導(dǎo)致?lián)p耗計(jì)算偏差10%以上尤其是高頻開關(guān)場(chǎng)合。5.3 溫度對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響器件的開關(guān)特性隨結(jié)溫變化明顯。IGBT的跨導(dǎo)隨溫度升高而降低導(dǎo)致開通時(shí)間變長(zhǎng)、開通損耗增加。二極管的反向恢復(fù)電荷隨溫度升高而增加導(dǎo)致反向恢復(fù)電流尖峰變大。因此雙脈沖測(cè)試報(bào)告必須注明測(cè)試時(shí)的結(jié)溫或殼溫。如果條件允許建議在冷態(tài)和熱態(tài)各測(cè)一次對(duì)比數(shù)據(jù)。冷態(tài)測(cè)試可以在器件剛上電時(shí)快速完成熱態(tài)測(cè)試則需要讓器件在目標(biāo)電流下持續(xù)工作一段時(shí)間待溫度穩(wěn)定后再測(cè)。注意熱態(tài)測(cè)試時(shí)兩次脈沖之間的冷卻時(shí)間要縮短否則器件會(huì)降溫測(cè)不到真實(shí)的熱態(tài)特性。但也不能太短否則結(jié)溫會(huì)持續(xù)上升。建議用熱電偶監(jiān)測(cè)殼溫待殼溫穩(wěn)定后再觸發(fā)測(cè)試。6. 從雙脈沖到實(shí)際應(yīng)用的橋接6.1 雙脈沖結(jié)果如何指導(dǎo)驅(qū)動(dòng)電阻選型雙脈沖測(cè)試最直接的應(yīng)用就是優(yōu)化門極電阻。通過改變Rg_on和Rg_off觀察開通和關(guān)斷波形的變化可以找到損耗和EMI的平衡點(diǎn)。具體做法是先按數(shù)據(jù)手冊(cè)推薦值設(shè)置Rg測(cè)一組波形計(jì)算E_on和E_off。然后增大Rg開關(guān)變慢損耗增加但電壓尖峰降低。再減小Rg開關(guān)變快損耗降低但尖峰升高。反復(fù)幾次找到尖峰不超過器件額定電壓80%的最小Rg值。我通常會(huì)在Excel里做一個(gè)表格記錄不同Rg下的E_on、E_off、Vce_peak、di/dt、dv/dt然后畫成曲線直觀地看到趨勢(shì)。這個(gè)表格在項(xiàng)目評(píng)審時(shí)非常有用能直接說明為什么選某個(gè)電阻值。6.2 雙脈沖與實(shí)際工況的差異雙脈沖測(cè)試雖然標(biāo)準(zhǔn)但它畢竟是一個(gè)簡(jiǎn)化模型。與實(shí)際工況的差異主要體現(xiàn)在負(fù)載性質(zhì)不同雙脈沖用電感負(fù)載實(shí)際應(yīng)用中可能是電機(jī)、變壓器、電網(wǎng)等負(fù)載特性更復(fù)雜。母線電壓波動(dòng)雙脈沖用穩(wěn)壓電源實(shí)際母線電壓可能有紋波和跌落。溫度條件不同雙脈沖通常在室溫或某一穩(wěn)定溫度下測(cè)試實(shí)際應(yīng)用中結(jié)溫波動(dòng)大。開關(guān)頻率不同雙脈沖只測(cè)單次開關(guān)事件實(shí)際應(yīng)用中器件連續(xù)開關(guān)熱積累和電荷存儲(chǔ)效應(yīng)不同。因此雙脈沖測(cè)試結(jié)果是一個(gè)重要參考但不能完全替代實(shí)際工況下的驗(yàn)證。我的做法是雙脈沖確定器件選型和驅(qū)動(dòng)參數(shù)然后在實(shí)際電路上做溫升測(cè)試和EMI測(cè)試兩者結(jié)合才能定案。6.3 從波形看系統(tǒng)級(jí)問題雙脈沖波形不僅能反映器件特性還能暴露系統(tǒng)級(jí)問題。比如如果關(guān)斷電壓尖峰遠(yuǎn)高于預(yù)期說明母線回路寄生電感過大需要優(yōu)化PCB布局或增加吸收電容。如果開通電流振蕩頻率與驅(qū)動(dòng)回路諧振頻率一致說明門極回路和功率回路存在耦合需要調(diào)整布局。如果反向恢復(fù)電流導(dǎo)致下管電流尖峰超過額定值說明二極管選型偏大或母線電壓偏高需要重新評(píng)估。這些問題在實(shí)際產(chǎn)品中往往表現(xiàn)為隨機(jī)故障或EMI超標(biāo)用雙脈沖測(cè)試提前發(fā)現(xiàn)比在整機(jī)上排查要容易得多。7. 一些個(gè)人體會(huì)雙脈沖測(cè)試這件事入門容易精通難。第一塊板子能測(cè)出波形就算成功但要測(cè)出干凈、準(zhǔn)確、可重復(fù)的波形需要反復(fù)打磨測(cè)量回路、驅(qū)動(dòng)電路和時(shí)序參數(shù)。我見過太多人測(cè)了一兩次就下結(jié)論結(jié)果在實(shí)際產(chǎn)品上翻車。我的建議是把雙脈沖測(cè)試當(dāng)成一個(gè)常規(guī)工具而不是一次性任務(wù)。每次更換器件、調(diào)整驅(qū)動(dòng)電阻、修改PCB布局后都重新測(cè)一遍。積累的波形多了自然就能從波形的細(xì)微變化中讀出問題。另外不要迷信數(shù)據(jù)手冊(cè)。數(shù)據(jù)手冊(cè)的測(cè)試條件往往和你的實(shí)際工況不同雙脈沖測(cè)試能給你最貼近實(shí)際的數(shù)據(jù)。尤其是國(guó)產(chǎn)器件數(shù)據(jù)手冊(cè)的參數(shù)可能偏樂觀實(shí)測(cè)才能見真章。最后分享一個(gè)小技巧在測(cè)試板上預(yù)留多個(gè)測(cè)試點(diǎn)包括門極、發(fā)射極、集電極、母線正負(fù)極。用同軸插座而不是排針這樣探頭連接更可靠波形更干凈。這個(gè)小小的投入能省下大量排查干擾的時(shí)間。