很多剛接觸模擬電路的朋友都會(huì)卡在同一個(gè)坎上想用單片機(jī)的一個(gè)IO口控制整塊板子的電源結(jié)果發(fā)現(xiàn)IO口輸出電流最大也就二三十毫安連個(gè)繼電器都推不動(dòng)更別說(shuō)直接給后級(jí)電路供電了。這時(shí)候老工程師通常會(huì)甩給你一句搭個(gè)自鎖電路啊然后你就懵了——自鎖不是繼電器才有的東西嗎其實(shí)用兩顆三極管加一顆MOS管就能搭出一個(gè)純硬件的電子自鎖開(kāi)關(guān)按一下開(kāi)機(jī)、再按一下關(guān)機(jī)整個(gè)過(guò)程不需要單片機(jī)參與靜態(tài)功耗還能壓到微安級(jí)別。這篇就把這個(gè)電路從原理到選型到實(shí)測(cè)踩坑完整地拆一遍。1. 先搞清楚自鎖到底鎖的是什么1.1 機(jī)械開(kāi)關(guān)和電子開(kāi)關(guān)的本質(zhì)區(qū)別我們平時(shí)用的輕觸按鍵本質(zhì)是一個(gè)瞬時(shí)導(dǎo)通的器件。你手指按下去的時(shí)候它導(dǎo)通松開(kāi)就斷開(kāi)。它自己沒(méi)有任何記住狀態(tài)的能力。而自鎖開(kāi)關(guān)比如老式收音機(jī)上的那種按一下鎖住、再按一下彈起的開(kāi)關(guān)之所以能保持狀態(tài)靠的是內(nèi)部一套純機(jī)械的卡扣結(jié)構(gòu)。電子自鎖開(kāi)關(guān)要做的就是用半導(dǎo)體器件去模擬這套機(jī)械卡扣。核心思路是用一個(gè)信號(hào)去控制電源的通斷同時(shí)把這個(gè)已開(kāi)機(jī)的狀態(tài)反饋回控制端讓電路自己維持住自己。這就是自鎖兩個(gè)字的由來(lái)——自己鎖住自己。理解這一點(diǎn)非常關(guān)鍵因?yàn)楹竺嫠械碾娐贩治霰举|(zhì)上都在回答兩個(gè)問(wèn)題第一開(kāi)機(jī)瞬間是誰(shuí)把電源拉起來(lái)的第二開(kāi)機(jī)之后是誰(shuí)在維持這個(gè)狀態(tài)讓按鍵松開(kāi)也不掉電。1.2 為什么不用繼電器或者專用電源開(kāi)關(guān)芯片你可能會(huì)問(wèn)市面上不是有現(xiàn)成的負(fù)載開(kāi)關(guān)芯片、電源管理IC嗎為什么要自己搭分立元件這個(gè)問(wèn)題我在實(shí)際項(xiàng)目里反復(fù)權(quán)衡過(guò)結(jié)論是分場(chǎng)景的。繼電器方案的問(wèn)題是體積大、線圈功耗高常見(jiàn)5V繼電器線圈就要七八十毫安、有機(jī)械壽命限制而且響應(yīng)慢用在需要頻繁開(kāi)關(guān)或者電池供電的場(chǎng)合完全不合適。專用電源開(kāi)關(guān)芯片確實(shí)省事但很多型號(hào)要么封裝難焊、要么采購(gòu)周期長(zhǎng)、要么在低電壓小電流場(chǎng)景下性價(jià)比不高。而三極管加MOS管的分立方案優(yōu)勢(shì)在于元件隨手可得、成本幾毛錢、靜態(tài)功耗可以做到極低、完全可控。你可以根據(jù)實(shí)際電流需求自由選型從幾百毫安到幾安培都能覆蓋。對(duì)于DIY項(xiàng)目、小批量產(chǎn)品、教學(xué)演示來(lái)說(shuō)這套方案的可玩性和可理解性都遠(yuǎn)超直接買模塊。1.3 這個(gè)電路適合誰(shuí)、用在什么場(chǎng)景先說(shuō)清楚適用邊界免得你搭完了發(fā)現(xiàn)不匹配。這個(gè)電子自鎖開(kāi)關(guān)最適合的場(chǎng)景是低壓直流3V到24V、中等電流幾十毫安到幾安培、需要單按鍵控制整機(jī)電源通斷。典型應(yīng)用包括便攜設(shè)備的一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)、單片機(jī)系統(tǒng)的軟關(guān)機(jī)配合、電池供電設(shè)備的低功耗待機(jī)控制、以及各種需要按一下開(kāi)、再按一下關(guān)的DIY作品。如果你需要的是大功率交流負(fù)載控制那還是老老實(shí)實(shí)上繼電器或者固態(tài)繼電器這套電路不適用。2. 電路的核心骨架三極管負(fù)責(zé)邏輯MOS管負(fù)責(zé)出力2.1 為什么是三極管MOS管而不是全用三極管這是整個(gè)設(shè)計(jì)里第一個(gè)需要想明白的選型問(wèn)題。很多人第一反應(yīng)是全用三極管畢竟便宜又熟悉。但實(shí)際搭下來(lái)會(huì)發(fā)現(xiàn)兩個(gè)問(wèn)題。第一三極管是電流控制器件要讓它導(dǎo)通并維持基極必須持續(xù)有電流注入。這意味著維持開(kāi)機(jī)狀態(tài)本身就在持續(xù)耗電對(duì)于電池設(shè)備來(lái)說(shuō)這是致命的。而MOS管是電壓控制器件柵極一旦建立起足夠的電壓理論上不需要持續(xù)電流就能維持導(dǎo)通靜態(tài)功耗幾乎為零。第二MOS管的導(dǎo)通電阻可以做得很低。像常見(jiàn)的AO3400這類小功率N溝道MOS管導(dǎo)通電阻只有幾十毫歐通過(guò)1安培電流時(shí)壓降才幾十毫伏發(fā)熱可以忽略。而同樣電流下三極管的飽和壓降通常在0.1到0.3V功耗和發(fā)熱都明顯更大。所以合理的分工是三極管負(fù)責(zé)處理按鍵信號(hào)和狀態(tài)保持的邏輯判斷MOS管負(fù)責(zé)真正切斷和接通主電源回路。邏輯部分電流小用三極管足夠功率部分要求低損耗交給MOS管。2.2 P溝道MOS管做高邊開(kāi)關(guān)的基本原理這里要引入一個(gè)關(guān)鍵概念高邊開(kāi)關(guān)和低邊開(kāi)關(guān)。低邊開(kāi)關(guān)是把開(kāi)關(guān)器件放在負(fù)載和地之間高邊開(kāi)關(guān)是放在電源和負(fù)載之間。對(duì)于控制整機(jī)電源這個(gè)需求我們必須用高邊開(kāi)關(guān)因?yàn)槿绻玫刈鲩_(kāi)關(guān)負(fù)載的負(fù)極就懸空了很多電路會(huì)出問(wèn)題。高邊開(kāi)關(guān)通常用P溝道MOS管。原因很簡(jiǎn)單P溝道MOS管的源極接電源正極柵極電壓低于源極一定值這個(gè)值叫閾值電壓Vgs(th)時(shí)就導(dǎo)通。而N溝道MOS管要做高邊開(kāi)關(guān)柵極電壓必須高于源極需要額外的自舉電路復(fù)雜得多。P溝道MOS管的三個(gè)極要記清楚源極S接電源輸入漏極D接負(fù)載柵極G是控制端。當(dāng)柵極被拉低到一定程度S和D之間就導(dǎo)通了電源就送到負(fù)載上。這個(gè)拉低柵極的動(dòng)作就是由前面的三極管邏輯電路完成的。2.3 按鍵信號(hào)如何轉(zhuǎn)換成狀態(tài)翻轉(zhuǎn)現(xiàn)在到了最核心的部分一個(gè)瞬時(shí)按鍵怎么變成按一下開(kāi)、再按一下關(guān)的翻轉(zhuǎn)動(dòng)作這里用到的是一顆NPN三極管配合電容和反饋電阻。整個(gè)邏輯可以這樣理解按鍵按下時(shí)給NPN三極管的基極一個(gè)觸發(fā)信號(hào)讓它導(dǎo)通NPN導(dǎo)通后把P溝道MOS管的柵極拉低MOS管導(dǎo)通電源接通電源接通后通過(guò)一個(gè)反饋電阻把已開(kāi)機(jī)這個(gè)狀態(tài)送回NPN的基極讓NPN持續(xù)導(dǎo)通即使按鍵松開(kāi)也不掉電。這就是自鎖的建立過(guò)程。而關(guān)機(jī)則是另一套邏輯當(dāng)電路已經(jīng)開(kāi)機(jī)、你再次按下按鍵時(shí)按鍵會(huì)短暫切斷NPN基極的維持電流或者通過(guò)電容把基極電壓拉低讓NPN截止進(jìn)而MOS管柵極被上拉電阻拉高M(jìn)OS管關(guān)斷電源斷開(kāi)自鎖解除。這個(gè)按一下建立自鎖、再按一下打破自鎖的機(jī)制是整個(gè)電路的精髓。下面用表格把關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的狀態(tài)理清楚。狀態(tài)按鍵NPN三極管P-MOS柵極P-MOS輸出初始關(guān)機(jī)松開(kāi)截止被上拉到電源截止無(wú)輸出開(kāi)機(jī)瞬間按下導(dǎo)通被拉低導(dǎo)通有輸出開(kāi)機(jī)保持松開(kāi)靠反饋維持導(dǎo)通保持低保持導(dǎo)通有輸出關(guān)機(jī)瞬間再按被強(qiáng)制截止被上拉高截止無(wú)輸出3. 完整電路圖與元件選型清單3.1 電路連接逐點(diǎn)說(shuō)明由于這里沒(méi)法直接貼圖我用文字把每個(gè)連接點(diǎn)講透你照著連絕對(duì)不會(huì)錯(cuò)。電源部分輸入電源正極記為VIN負(fù)極記為GND。P溝道MOS管Q1的源極S接VIN漏極D接輸出VOUT也就是給后級(jí)負(fù)載供電的節(jié)點(diǎn)。Q1的柵極G通過(guò)一個(gè)上拉電阻R1典型值100k接到VIN這個(gè)電阻的作用是保證在沒(méi)有任何控制信號(hào)時(shí)柵極被拉到高電平MOS管默認(rèn)關(guān)斷。邏輯部分NPN三極管Q2的集電極C接Q1的柵極G發(fā)射極E接GND基極B是控制端。Q2導(dǎo)通時(shí)把Q1的柵極拉到接近GNDQ1就導(dǎo)通了。按鍵部分輕觸按鍵SW一端接VIN另一端通過(guò)電阻R2典型值10k接Q2的基極B。同時(shí)Q2的基極B通過(guò)電阻R3典型值100k接GND這是下拉電阻保證按鍵沒(méi)按時(shí)基極是低電平。反饋部分這是自鎖的關(guān)鍵。從輸出VOUT引出一個(gè)電阻R4典型值47k接到Q2的基極B。當(dāng)電路開(kāi)機(jī)、VOUT有電之后這個(gè)電阻把高電平反饋到基極維持Q2導(dǎo)通。電容部分在Q2基極和GND之間接一個(gè)電容C1典型值1μF到10μF。這個(gè)電容的作用是在按鍵按下的瞬間提供狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的記憶同時(shí)也是區(qū)分開(kāi)機(jī)按鍵和關(guān)機(jī)按鍵的關(guān)鍵。具體機(jī)制在下一節(jié)詳細(xì)講。3.2 關(guān)鍵元件的選型邏輯選型不是隨便抓一個(gè)就行每個(gè)參數(shù)都有講究。P溝道MOS管Q1核心看三個(gè)參數(shù)——耐壓Vds、導(dǎo)通電阻Rds(on)、閾值電壓Vgs(th)。耐壓要留足余量比如12V系統(tǒng)選30V以上的管子。導(dǎo)通電阻越小越好但要和成本平衡。閾值電壓要選邏輯電平兼容的因?yàn)闁艠O是被拉到GND來(lái)導(dǎo)通的Vgs最大就是VIN要確保VIN大于閾值電壓。常用型號(hào)如AO340130V/4A、SI230120V/2A都很合適。NPN三極管Q2幾乎任何小信號(hào)NPN都能用比如S8050、2N3904、MMBT3904。重點(diǎn)看集電極電流能力要能拉低MOS柵極其實(shí)電流很小幾毫安足夠和hFE電流放大倍數(shù)倍數(shù)高一點(diǎn)更容易飽和導(dǎo)通。電阻全部用1/4W普通電阻即可。R1上拉電阻不能太小否則關(guān)機(jī)時(shí)會(huì)有持續(xù)電流流過(guò)也不能太大否則柵極拉高太慢。100k是個(gè)好平衡點(diǎn)。R4反饋電阻決定了維持電流大小47k到100k都行。電容C1這個(gè)值直接影響按鍵手感。太小了翻轉(zhuǎn)不可靠太大了響應(yīng)遲鈍。1μF到10μF之間調(diào)試具體看你的按鍵時(shí)間和電源電壓。3.3 一張表看懂各元件作用元件型號(hào)示例核心作用選型要點(diǎn)Q1 P-MOSAO3401主電源高邊開(kāi)關(guān)耐壓、低Rds(on)、邏輯電平Q2 NPNS8050狀態(tài)邏輯控制高h(yuǎn)FE、小信號(hào)即可R1 上拉100k默認(rèn)關(guān)斷MOS平衡功耗與速度R2 限流10k限制基極電流防止基極過(guò)流R3 下拉100k保證默認(rèn)低電平防止誤觸發(fā)R4 反饋47k維持自鎖狀態(tài)決定維持電流C1 電容4.7μF狀態(tài)翻轉(zhuǎn)記憶影響按鍵手感SW 按鍵輕觸開(kāi)關(guān)觸發(fā)信號(hào)任意輕觸即可4. 自鎖建立與解除的完整時(shí)序拆解4.1 開(kāi)機(jī)過(guò)程從按下到穩(wěn)定維持假設(shè)電路初始是關(guān)機(jī)狀態(tài)VOUT沒(méi)有電Q2基極被R3拉到GNDQ2截止Q1柵極被R1拉到VINQ1截止。整個(gè)電路靜態(tài)電流幾乎為零。現(xiàn)在你按下按鍵SW。VIN通過(guò)R2給Q2基極注入電流Q2開(kāi)始導(dǎo)通。Q2導(dǎo)通后集電極把Q1的柵極往下拉Q1的Vgs變成負(fù)值柵極低于源極當(dāng)這個(gè)壓差超過(guò)閾值電壓Q1導(dǎo)通VOUT上電。關(guān)鍵來(lái)了VOUT上電后通過(guò)R4把高電平反饋到Q2基極。這時(shí)候即使你松開(kāi)按鍵Q2基極依然有電流注入來(lái)自R4Q2保持導(dǎo)通Q1保持導(dǎo)通電路自己把自己鎖住了。這就是自鎖的建立。這里有個(gè)細(xì)節(jié)要注意R4的反饋必須足夠強(qiáng)能維持Q2導(dǎo)通但又不能太強(qiáng)導(dǎo)致無(wú)法關(guān)機(jī)。這就是為什么R4選47k到100k而不是幾k。太強(qiáng)了關(guān)機(jī)時(shí)拉不下來(lái)太弱了維持不住。4.2 關(guān)機(jī)過(guò)程為什么再按一下就能關(guān)關(guān)機(jī)是整個(gè)電路最巧妙的地方也是很多人第一次看不懂的地方。電路已經(jīng)開(kāi)機(jī)Q2靠R4維持導(dǎo)通?，F(xiàn)在你再次按下按鍵SW。按鍵按下時(shí)VIN通過(guò)R2繼續(xù)給基極供電看起來(lái)好像應(yīng)該讓Q2更導(dǎo)通才對(duì)怎么會(huì)關(guān)機(jī)呢秘密在電容C1上。在開(kāi)機(jī)穩(wěn)定狀態(tài)下C1已經(jīng)被充電到接近基極電壓。當(dāng)你再次按下按鍵的瞬間由于電容兩端電壓不能突變C1會(huì)短暫地把基極電壓往下拉形成一個(gè)負(fù)向的尖峰。這個(gè)尖峰讓Q2瞬間截止。Q2一截止Q1柵極被R1拉高Q1關(guān)斷VOUT掉電。VOUT一掉電R4的反饋就消失了Q2再也無(wú)法重新導(dǎo)通。于是電路就穩(wěn)定在關(guān)機(jī)狀態(tài)了。所以C1這個(gè)電容不是可有可無(wú)的它是關(guān)機(jī)動(dòng)作的觸發(fā)核心。沒(méi)有它再按按鍵只會(huì)讓電路保持開(kāi)機(jī)永遠(yuǎn)關(guān)不掉。這也是為什么C1的容值需要調(diào)試——它決定了關(guān)機(jī)觸發(fā)的可靠性。4.3 按鍵時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)狀態(tài)的影響實(shí)測(cè)下來(lái)按鍵時(shí)間對(duì)電路行為有明顯影響這點(diǎn)很多教程不會(huì)告訴你。如果按鍵按得太短比如幾十毫秒C1可能還沒(méi)完成充放電的翻轉(zhuǎn)過(guò)程電路可能不響應(yīng)。如果按得太長(zhǎng)在某些參數(shù)配置下C1放電完畢后基極又被R2拉高可能導(dǎo)致?tīng)顟B(tài)反復(fù)。所以最佳按鍵時(shí)間是100毫秒到500毫秒之間也就是正常人手按一下的自然時(shí)長(zhǎng)。如果你發(fā)現(xiàn)按鍵需要按很久才響應(yīng)通常是C1太小或者R4太大如果發(fā)現(xiàn)按一下會(huì)連續(xù)翻轉(zhuǎn)好幾次通常是C1太大或者R2太小。這兩個(gè)參數(shù)是調(diào)試的重點(diǎn)。5. 實(shí)測(cè)中踩過(guò)的坑和排查思路5.1 上電就導(dǎo)通按鍵完全失控這是最常見(jiàn)的第一個(gè)坑。電路一通電什么都沒(méi)按輸出就有電了。排查下來(lái)通常是兩個(gè)原因。第一個(gè)原因是Q1的柵極上拉電阻R1沒(méi)接或者虛焊。柵極懸空時(shí)MOS管的狀態(tài)是不確定的很容易被干擾導(dǎo)通。用萬(wàn)用表量一下柵極對(duì)源極的電壓正常關(guān)機(jī)時(shí)應(yīng)該接近0V柵極和源極等電位。第二個(gè)原因是Q2的漏電流太大或者h(yuǎn)FE過(guò)高導(dǎo)致在基極沒(méi)有信號(hào)時(shí)也有微弱導(dǎo)通把柵極拉低了一點(diǎn)。這種情況換一顆質(zhì)量好點(diǎn)的三極管或者在基極加一個(gè)更小的下拉電阻比如把R3從100k降到47k就能解決。5.2 能開(kāi)機(jī)但關(guān)不掉這個(gè)坑我踩過(guò)不止一次。電路按一下能開(kāi)機(jī)但再按怎么都關(guān)不掉。問(wèn)題幾乎都出在C1電容上。要么是C1沒(méi)焊、虛焊要么是容值太小。前面講過(guò)關(guān)機(jī)靠的是C1在按鍵瞬間把基極電壓往下拉。如果C1缺失基極電壓只會(huì)被R2拉高Q2一直導(dǎo)通自然關(guān)不掉。解決辦法就是檢查C1并且適當(dāng)加大容值從1μF加到4.7μF或10μF試試。還有一種情況是R4反饋電阻太小反饋太強(qiáng)C1的負(fù)尖峰拉不動(dòng)基極。這時(shí)候把R4加大到100k甚至220k減弱反饋強(qiáng)度。5.3 MOS管發(fā)熱嚴(yán)重如果MOS管摸起來(lái)燙手說(shuō)明它沒(méi)有完全導(dǎo)通工作在了放大區(qū)而不是開(kāi)關(guān)區(qū)。原因是柵極驅(qū)動(dòng)電壓不夠。P溝道MOS管要完全導(dǎo)通Vgs需要足夠負(fù)。如果VIN電壓比較低比如3.3V而選的MOS管閾值電壓偏高比如2V以上那Vgs只有-3.3V減去閾值后剩下的驅(qū)動(dòng)電壓就不夠了導(dǎo)通電阻會(huì)很大電流一大就發(fā)熱。解決辦法是選低閾值電壓的邏輯電平MOS管確保在最低工作電壓下也能完全導(dǎo)通。或者提高VIN電壓。選型時(shí)一定要看數(shù)據(jù)手冊(cè)里的Vgs(th)和對(duì)應(yīng)Vgs下的Rds(on)曲線不能只看一個(gè)數(shù)字。5.4 靜態(tài)功耗比預(yù)期高電池設(shè)備最在意的就是關(guān)機(jī)后的靜態(tài)功耗。理想情況下關(guān)機(jī)后整個(gè)電路應(yīng)該幾乎不耗電但實(shí)測(cè)發(fā)現(xiàn)有的板子關(guān)機(jī)后還有幾百微安。排查下來(lái)通常是上拉電阻R1太小。關(guān)機(jī)時(shí)Q1柵極被R1拉到VIN如果R1是10k那VIN到柵極之間就有持續(xù)電流雖然MOS柵極本身不耗電但如果有漏電流路徑就會(huì)耗。把R1加大到100k甚至1M靜態(tài)功耗立刻降下來(lái)。另外要檢查三極管的漏電流。有些廉價(jià)三極管在截止時(shí)漏電流能到微安級(jí)多顆疊加起來(lái)就明顯了。選低漏電流的型號(hào)或者適當(dāng)降低工作電壓。6. 進(jìn)階玩法從單按鍵到更復(fù)雜的控制6.1 加入軟關(guān)機(jī)信號(hào)實(shí)現(xiàn)單片機(jī)配合實(shí)際項(xiàng)目里經(jīng)常需要單片機(jī)主動(dòng)關(guān)機(jī)而不是靠按鍵。這時(shí)候可以在Q2基極再引一個(gè)控制信號(hào)通過(guò)一顆小NPN或者直接用一個(gè)IO口注意電平匹配去拉低基極就能實(shí)現(xiàn)軟件關(guān)機(jī)。具體做法是單片機(jī)的一個(gè)IO口通過(guò)電阻接到Q2基極需要關(guān)機(jī)時(shí)把這個(gè)IO拉低一段時(shí)間模擬按鍵的關(guān)機(jī)動(dòng)作。這樣按鍵和軟件都能控制電源非常靈活。注意IO口電平和VIN的匹配必要時(shí)加電平轉(zhuǎn)換。6.2 延時(shí)關(guān)機(jī)與防抖處理按鍵抖動(dòng)是機(jī)械開(kāi)關(guān)的固有特性按一下會(huì)產(chǎn)生多個(gè)快速通斷。雖然這個(gè)電路本身有一定的容錯(cuò)但在要求高的場(chǎng)合還是需要防抖。最簡(jiǎn)單的防抖就是在按鍵兩端并聯(lián)一個(gè)小電容0.1μF利用電容的充放電把抖動(dòng)濾掉?；蛘咴贑1的選值上做文章讓電路對(duì)短脈沖不敏感。實(shí)測(cè)下來(lái)C1選4.7μF配合0.1μF的按鍵并聯(lián)電容防抖效果就很好了。6.3 擴(kuò)展到多路電源順序控制如果需要控制多路電源按順序上電可以把多個(gè)這樣的自鎖單元級(jí)聯(lián)。第一路開(kāi)機(jī)后用它的輸出作為第二路的使能信號(hào)依次類推。每一路都可以獨(dú)立選型MOS管來(lái)匹配各自的電流需求。這種方案在需要多電壓域的系統(tǒng)里很實(shí)用。7. 幾個(gè)容易被忽略的細(xì)節(jié)經(jīng)驗(yàn)第一個(gè)經(jīng)驗(yàn)是關(guān)于PCB布局的。MOS管的柵極走線要盡量短遠(yuǎn)離大電流路徑否則容易耦合干擾導(dǎo)致誤觸發(fā)。反饋電阻R4的走線也要注意最好直接從輸出電容后面取反饋點(diǎn)避免取到有紋波的節(jié)點(diǎn)。第二個(gè)經(jīng)驗(yàn)是關(guān)于電容的選型。C1建議用陶瓷電容或者鉭電容不要用電解電容。電解電容的等效串聯(lián)電阻大充放電特性差會(huì)導(dǎo)致關(guān)機(jī)觸發(fā)不可靠。而且電解電容體積大沒(méi)必要。第三個(gè)經(jīng)驗(yàn)是關(guān)于調(diào)試順序。不要一上來(lái)就全部焊好通電。建議先焊電源和MOS管部分確認(rèn)默認(rèn)關(guān)斷再焊三極管邏輯部分確認(rèn)按鍵能開(kāi)機(jī)最后焊電容和反饋調(diào)試關(guān)機(jī)功能。分步調(diào)試能快速定位問(wèn)題在哪一級(jí)。第四個(gè)經(jīng)驗(yàn)是關(guān)于萬(wàn)用表測(cè)量。測(cè)MOS管柵極電壓時(shí)萬(wàn)用表的內(nèi)阻會(huì)影響讀數(shù)尤其是高阻節(jié)點(diǎn)。建議用10MΩ輸入阻抗的萬(wàn)用表或者用示波器看波形更準(zhǔn)確。測(cè)基極電壓時(shí)也要注意表筆的電容可能會(huì)影響C1的充放電。第五個(gè)經(jīng)驗(yàn)是關(guān)于溫度影響。三極管的hFE和MOS管的閾值電壓都隨溫度變化。在寬溫環(huán)境下使用時(shí)要留足設(shè)計(jì)余量。比如低溫下MOS管閾值電壓會(huì)升高可能導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)不足選型時(shí)要按最低工作溫度來(lái)校核。這套電子自鎖開(kāi)關(guān)我前后搭過(guò)十幾個(gè)版本從最開(kāi)始的全三極管方案到現(xiàn)在的三極管加MOS管方案每一次迭代都是被實(shí)際問(wèn)題逼出來(lái)的。最開(kāi)始那版全三極管的靜態(tài)功耗高得離譜電池放兩天就沒(méi)電后來(lái)?yè)Q成MOS管做主開(kāi)關(guān)功耗問(wèn)題解決了又遇到關(guān)不掉的問(wèn)題折騰了好久才搞明白是C1的鍋?，F(xiàn)在這套參數(shù)是我在多個(gè)項(xiàng)目里驗(yàn)證過(guò)的3V到24V都能穩(wěn)定工作靜態(tài)功耗做到微安級(jí)按鍵手感也調(diào)得比較舒服。如果你照著搭遇到問(wèn)題大概率就是上面那幾個(gè)坑之一按著排查思路走一遍基本都能解決。